
Lklab Korea Silicon Wafer/실리콘 웨이퍼
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4~12인치 실리콘 웨이퍼로 구성된 제품으로, P/N 타입 및 Prime/Test Grade 선택 가능. 고품질 Prime Grade는 반도체 제조용, Test Grade는 장비 테스트용에 적합. Thermal Oxidation SiO₂ 증착 옵션 제공으로 절연막 형성 가능. QL, SK실트론 제품.
브랜드: LK Labkorea
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Lklab Korea Silicon Wafer / 실리콘 웨이퍼
제품 개요
- Dia(직경): 4인치 / 6인치 / 8인치 / 12인치
(직경이 커질수록 두께 증가) - Dopant Type: P-type / N-type
- Grade: Prime Grade / Test Grade
- 제조사: QL, SK실트론
Dia 구분
- 4인치 / 6인치 / 8인치 / 12인치
- 12인치 이상이 현재 주류 (한 번에 더 많은 반도체 생산 가능)
- Dia 크기에 따라 두께 증가
Dopant Type (불순물 도핑)
- P-Type (Positive)
- 3가 원소(B, Al, Ga) 도핑으로 전기적 특성 변화
- 정공이 전하 운반자
- N-Type (Negative)
- 5가 원소(P, As, Sb) 도핑으로 전기적 특성 변화
- 전자가 전하 운반자
저항 (Ω)
- 불순물 도핑 양이 많을수록 저항 감소
Orientation
- (100) 방향 절단
- 결정 평면을 나타내며, 이온 주입 방향 선택에 사용
Grade 구분
- Prime Grade
- 고품질 광택 처리
- Photolithography 및 Particle Monitor용
- 정확한 저항률, 반도체 제조용 하이테크 공정에 사용
- Test Grade
- 대량 테스트용 또는 장비 검증용
- 반도체 제조 라인 및 프로세스 제어 테스트에 사용
- Prime Grade 대비 일부 규격 미달 가능
Thermal Oxidation (열산화)
- 고온에서 실리콘 웨이퍼를 산화시켜 SiO₂ 절연막 형성
- 장점
- 계면 상태 우수
- 박막 형성 용이
- 물리적 성질 우수
- Dry Type Thermal Oxidation 지원
제품 사양
Silicon Wafer / 실리콘 웨이퍼
| Cat. No. | Model | Dia (inch) | Type | Thickness (µm) | Resistivity (Ω·cm) | Polishing Surface | Orientation | Grade |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W04-171-601 | SW4P005P | 4 | P | 500–550 | <0.005 | Single Side | 1-0-0 | PRIME |
| W04-171-604 | SW4N005P | 4 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-607 | SW4P300T | 4 | P | - | 1~30 | - | - | TEST |
| W04-171-610 | SW4P100P | 4 | P | - | 1~10 | - | - | PRIME |
| W04-171-613 | SW4N100P | 4 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-621 | SW6P005P | 6 | P | 650–700 | <0.005 | - | - | - |
| W04-171-624 | SW6N005P | 6 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-627 | SW6P015P | 6 | P | - | 0.01~0.02 | - | - | - |
| W04-171-630 | SW6N015P | 6 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-633 | SW6P100P | 6 | P | - | 1~10 | - | - | - |
| W04-171-636 | SW6N100P | 6 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-639 | SW6P300T | 6 | P | - | 1~30 | - | - | TEST |
| W04-171-642 | SW6N300T | 6 | N | - | - | - | - | - |
| W04-171-651 | SW8P005P | 8 | P | 700–750 | <0.005 | - | - | PRIME |
| W04-171-654 | SW8P500T | 8 | P | - | 1–50 | - | - | TEST |
| W04-171-661 | SW12P500TD | 12 | P | - | - | Double Side | - | - |
Silicon Wafer, SiO₂ / 산화막 증착 실리콘 웨이퍼
| Cat. No. | Model | Dia (inch) | Type | Thickness (µm) | Resistivity (Ω·cm) | Polishing Surface | Orientation | Grade | Thermal Oxidation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W04-171-701 | SSW4P1000P | 4 | P | 500–550 | <0.005 | Single Side | 1-0-0 | PRIME | 1000Å (=100nm) |
| W04-171-704 | SSW4P2000P | 4 | P | - | - | - | - | - | 2000Å (=100~200nm) |
| W04-171-707 | SSW4P3000P | 4 | P | - | - | - | - | - | 3000Å (=200~300nm) |
| W04-171-710 | SSW4N1000P | 4 | N | - | - | - | - | - | 1000Å (=100nm) |
| W04-171-713 | SSW4N2000P | 4 | N | - | - | - | - | - | 2000Å (=100~200nm) |
| W04-171-716 | SSW4N3000P | 4 | N | - | - | - | - | - | 3000Å (=200~300nm) |
| W04-171-721 | SSW6N1000P | 6 | P | 650–700 | - | - | - | - | 1000Å (=100nm) |
| W04-171-724 | SSW6N2000P | 6 | P | - | - | - | - | - | 2000Å (=100~200nm) |
| W04-171-727 | SSW6N3000P | 6 | P | - | - | - | - | - | 3000Å (=200~300nm) |
| W04-171-730 | SSW6N1000P | 6 | N | - | - | - | - | - | 1000Å (=100nm) |
| W04-171-733 | SSW6N2000P | 6 | N | - | - | - | - | - | 2000Å (=100~200nm) |
| W04-171-736 | SSW6N3000P | 6 | N | - | - | - | - | - | 3000Å (=200~300nm) |
| W04-171-741 | SSW8N005P | 8 | P | 700–750 | - | - | - | - | 1000Å ~ 2µm |
| W04-171-744 | SSW8N500T | 8 | P | - | 1–50 | - | - | TEST | - |
| W04-171-751 | SSW12N1000TD | 12 | - | 750–800 | 1–100 | Double Side | - | - | - |
주문 안내
- Silicon Wafer, SiO₂ 제품은 주문 시 Thermal Oxidation 범위 내에서 선택 가능
제품 이미지
(이미지 없음)
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