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AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
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AS ONE

AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)

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고품질 4H-SiC 기판으로 우수한 열전도성과 전기적 특성을 제공. 반도체, 전력 소자, 고온 전자소자 연구에 적합. 정밀한 크기와 안정된 결정 구조로 연구 재현성 향상.

카탈로그번호
4-2135-0x (3개 옵션)
브랜드
AS ONE
카테고리
Other Organics
판매단위
pk
#AS ONE

카탈로그

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4-2135-01 4HSiC-0001-D-□10-1, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1매, 대체상품4-2135-11 pk판매 단위 pk ·
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AS ONE · AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)

AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)

제품 특징

  • 고순도 4H-SiC 소재 사용
  • 우수한 열전도성과 전기 절연 특성
  • 반도체 및 전력 전자소자 연구용으로 적합
  • 정밀 가공된 표면으로 높은 재현성 제공

사양

항목 내용
사이즈 10 × 10 × 0.35 mm
소재 4H-SiC (실리콘 카바이드)
공급업체 AS ONE

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