
AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
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고품질 4H-SiC 기판으로 우수한 열전도성과 전기적 특성을 제공. 반도체, 전력 소자, 고온 전자소자 연구에 적합. 정밀한 크기와 안정된 결정 구조로 연구 재현성 향상.
브랜드: AS ONE
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AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
제품 특징
- 고순도 4H-SiC 소재 사용
- 우수한 열전도성과 전기 절연 특성
- 반도체 및 전력 전자소자 연구용으로 적합
- 정밀 가공된 표면으로 높은 재현성 제공
사양
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 사이즈 | 10 × 10 × 0.35 mm |
| 소재 | 4H-SiC (실리콘 카바이드) |
| 공급업체 | AS ONE |
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