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RHAWN BOE（Buffered Oxide Etch）
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Buffered Oxide Etch(BOE) 용액으로 실리콘 산화막 식각에 사용. 고순도 0.25 수준으로 정밀한 반도체 공정에 적합. 4L 용량으로 연구 및 생산용 모두 활용 가능. RHAWN 공급의 안정적 품질 보장.
- 카탈로그번호
- 7개 옵션
- CAS 번호
- RH-00076
- 브랜드
- RHAWN
- 판매단위
- pk
카탈로그
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RHAWN R150236-500ml BOE（Buffered Oxide Etch） 500ml pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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335,900원VAT 포함 369,490원
RHAWN R080069-500ml BOE（Buffered Oxide Etch） 500ml pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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RHAWN R197726-500ml BOE（Buffered Oxide Etch） 500ml pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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RHAWN R051423-500ml BOE（Buffered Oxide Etch） 500ml pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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RHAWN R150236-4L BOE（Buffered Oxide Etch） 4L pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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RHAWN R197726-4L BOE（Buffered Oxide Etch） 4L pk판매 단위 pk · CAS RH-00076 ·
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RHAWN · RHAWN BOE（Buffered Oxide Etch）
RHAWN BOE (Buffered Oxide Etch)
Buffered Oxide Etch(BOE)는 실리콘 산화막(SiO₂) 제거를 위한 대표적인 식각용액으로, 미세공정 및 반도체 연구에 널리 사용됩니다. 안정적인 식각 속도와 균일한 표면 처리를 제공합니다.
제품 사양
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| Purity | 0.25069444444444444 |
| CAS No. | RH-00076 |
| 용량 | 4L |
| 분자식 | - |
| 분자량 | - |
주요 특징
- 안정적인 산화막 식각 특성
- 반도체 및 MEMS 공정에 적합
- 균일한 식각 속도로 표면 품질 향상
- 연구 및 생산 공정 모두 사용 가능
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