AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
AS ONE

AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)

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고품질 4H-SiC 단결정 기판으로 반도체 및 전력 소자 연구에 적합. 우수한 열전도성과 전기적 특성 제공. 정밀한 10×10×0.5mm 규격으로 안정된 실험 결과 보장.

브랜드: AS ONE
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#AS ONE

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장비
4-2135-13
4-2135-13 4HSiC-05-0001-D-□10-10, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (10매) pk
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소모품
4-2135-12
4-2135-12 4HSiC-05-0001-D-□10-5, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (5매) pk
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4-2135-11
4-2135-11 4HSiC-05-0001-D-□10-1, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1매 pk
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제품 설명

AS ONE의 4H-SiC(Substrate) 기판은 반도체 및 전력 소자 연구용으로 사용되는 고순도 실리콘 카바이드 단결정 기판입니다. 우수한 열적, 전기적 특성을 제공하여 고온 및 고전력 응용에 적합합니다.

제품 사양

항목 사양
제품명 SiC Substrate (4H-SiC)
제조사 AS ONE
사이즈 10 × 10 × 0.5 mm
결정 구조 4H-SiC
용도 반도체, 전력 소자, 연구용 기판

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