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1 / 2AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
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고품질 4H-SiC 단결정 기판으로 반도체 및 전력 소자 연구에 적합. 우수한 열전도성과 전기적 특성 제공. 정밀한 10×10×0.5mm 규격으로 안정된 실험 결과 보장.
- 카탈로그번호
- 4-2135-1x (3개 옵션)
- 브랜드
- AS ONE
- 카테고리
- Other Organics
- 판매단위
- pk
카탈로그
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장비
4-2135-13 4HSiC-05-0001-D-□10-10, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (10매) pk판매 단위 pk ·
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2,774,800원VAT 포함 3,052,280원
소모품
4-2135-12 4HSiC-05-0001-D-□10-5, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (5매) pk판매 단위 pk ·
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AS ONE · AS ONE SiC Substrate (4H-SiC), SiC 기판 (4H-SiC)
제품 설명
AS ONE의 4H-SiC(Substrate) 기판은 반도체 및 전력 소자 연구용으로 사용되는 고순도 실리콘 카바이드 단결정 기판입니다. 우수한 열적, 전기적 특성을 제공하여 고온 및 고전력 응용에 적합합니다.
제품 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 제품명 | SiC Substrate (4H-SiC) |
| 제조사 | AS ONE |
| 사이즈 | 10 × 10 × 0.5 mm |
| 결정 구조 | 4H-SiC |
| 용도 | 반도체, 전력 소자, 연구용 기판 |
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