RHAWN Indium(III) nitride
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RHAWN Indium(III) nitride

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고순도 99.9%의 Indium(III) nitride 시약으로, 반도체 및 전자재료 연구용에 적합합니다. 안정적인 InN 화합물 형태로 실험적 재현성이 우수하며, 정밀 소재 개발에 활용 가능합니다.

브랜드: RHAWN
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#RHAWN#Chemicals

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RHAWN Indium(III) Nitride

RHAWN의 Indium(III) nitride는 고순도(99.9%)의 질화인듐 시약으로, 반도체 및 전자소재 연구에 적합한 고품질 재료입니다.

제품 정보

항목 내용
제품명 Indium(III) nitride
공급업체 RHAWN
CAS 번호 25617-98-5
분자식 InN
분자량 128.82
순도 99.9% (High purity reagent)
용량 1 g

특징 및 용도

  • 고순도 질화인듐(InN) 시약
  • 반도체, 광전자소자, 박막 재료 연구용
  • 안정적인 물리적·화학적 특성
  • 실험실 및 소재 연구 개발에 적합

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