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1 / 2RHAWN Indium(III) nitride
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고순도 99.9%의 Indium(III) nitride 시약으로, 반도체 및 전자재료 연구용에 적합합니다. 안정적인 InN 화합물 형태로 실험적 재현성이 우수하며, 정밀 소재 개발에 활용 가능합니다.
- 카탈로그번호
- R032564-xx (3개 옵션)
- CAS 번호
- 25617-98-5
- 브랜드
- RHAWN
- 판매단위
- pk
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RHAWN R032564-1g Indium(III) nitride 1g pk판매 단위 pk · CAS 25617-98-5 ·
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RHAWN R032564-250mg Indium(III) nitride 250mg pk판매 단위 pk · CAS 25617-98-5 ·
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RHAWN R032564-5g Indium(III) nitride 5g pk판매 단위 pk · CAS 25617-98-5 ·
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RHAWN · RHAWN Indium(III) nitride
RHAWN Indium(III) Nitride
RHAWN의 Indium(III) nitride는 고순도(99.9%)의 질화인듐 시약으로, 반도체 및 전자소재 연구에 적합한 고품질 재료입니다.
제품 정보
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 제품명 | Indium(III) nitride |
| 공급업체 | RHAWN |
| CAS 번호 | 25617-98-5 |
| 분자식 | InN |
| 분자량 | 128.82 |
| 순도 | 99.9% (High purity reagent) |
| 용량 | 1 g |
특징 및 용도
- 고순도 질화인듐(InN) 시약
- 반도체, 광전자소자, 박막 재료 연구용
- 안정적인 물리적·화학적 특성
- 실험실 및 소재 연구 개발에 적합
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