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1 / 2RHAWN Indium(III) phosphide
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고순도 99.998%의 인듐(III) 인화물로 반도체 및 전자재료 연구용에 적합. 안정적인 화학적 특성으로 실험 재현성 향상. 고품질 RHAWN 제품으로 정밀 분석 및 소재 합성에 활용 가능.
- 카탈로그번호
- 3개 옵션
- CAS 번호
- 22398-80-7
- 브랜드
- RHAWN
- 판매단위
- pk
카탈로그
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RHAWN R027471-5g Indium(III) phosphide 5g pk판매 단위 pk · CAS 22398-80-7 ·
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RHAWN R027471-1g Indium(III) phosphide 1g pk판매 단위 pk · CAS 22398-80-7 ·
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RHAWN R096881-1g Indium(III) phosphide 1g pk판매 단위 pk · CAS 22398-80-7 ·
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RHAWN · RHAWN Indium(III) phosphide
RHAWN Indium(III) phosphide
고순도 인듐(III) 인화물로, 반도체 재료 연구 및 전자소자 개발에 사용되는 고품질 시약입니다. 높은 순도와 안정된 물리화학적 특성으로 정밀 실험 및 소재 합성에 적합합니다.
제품 스펙
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 순도 (Purity) | 99.998% (High purity reagent) |
| CAS 번호 | 22398-80-7 |
| 용량 | 1 g |
| 분자식 | H₂InP |
| 분자량 | 145.79 |
주요 특징
- 초고순도(99.998%)로 고신뢰성 실험 가능
- 반도체 및 전자재료 연구용으로 최적화
- 높은 화학적 안정성과 재현성 제공
- RHAWN의 고품질 연구용 시약
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