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1 / 2AS ONE GaN Substrate (FreeStanding Chip), GaN 기판 (자립 칩)
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고품질 GaN 자립형 기판으로 에피택시 성장에 최적화된 표면 제공. C-plane(0001) 방향으로 정밀 가공된 폴리싱 마감. 높은 유효면적(90% 이상)으로 안정적인 반도체 제작에 적합. 1상자당 2매 구성.
- 카탈로그번호
- 4-1360-0x (3개 옵션)
- 브랜드
- AS ONE
- 카테고리
- Other Organics
- 판매단위
- pk
카탈로그
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4-1360-01 GaN-FS-C-U-S10*10, 타입 : N 타입 (Un-Doped) / 비저항 : ＜0.5Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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4-1360-02 GaN-FS-C-N-S10*10, 타입 : N 타입 (Ge-Doped) / 비저항 : ＜0.05Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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4-1360-03 GaN-FS-C-SI-S10*10, 타입 : 반절연성 (Fe-Doped) / 비저항 : ＞10^6^Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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AS ONE · AS ONE GaN Substrate (FreeStanding Chip), GaN 기판 (자립 칩)
AS ONE GaN Substrate (FreeStanding Chip)
GaN 기판 (자립 칩)
사양
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 칩 사이즈 | 10 × 10.5 mm |
| 두께 | 350 ± 25 ㎛ |
| 유효면적 | 90% 이상 |
| 면 방위 | C-plane (0001), Moff angle toward M-AXIS 0 35˚ ± 0.15˚ |
| 표면 | Epi-ready 폴리싱 마감 |
| 이면 | Fine Ground 마감 |
| 입수 | 1상자 (2매) |
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