AS ONE GaN Substrate (2-Inch Temmlate), GaN 기판 (2 인치 템플레이트)
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AS ONE GaN Substrate (2-Inch Temmlate), GaN 기판 (2 인치 템플레이트)

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2인치 사파이어 웨이퍼 위에 성장된 GaN 템플레이트 기판으로, 고품질 C-plane(0001) 결정방위를 갖습니다. 폴리싱 마감된 GaN 표면과 Fine Ground 처리된 이면을 제공하며, 고주파 및 광전자소자 연구용으로 적합합니다.

브랜드: AS ONE
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#AS ONE

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소모품
4-1359-01
4-1359-01 GaN-T-C-U-C50-SSP, 타입 : N타입(Un-Doped) / 비저항 : ＜0.5Ω·㎝ pk
CAS: -단위: pk
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4-1359-02
4-1359-02 GaN-T-C-N-C50-SSP, 타입 : N타입(Si-Doped) / 비저항 : ＜0.05Ω·㎝ pk
CAS: -단위: pk
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4-1359-03
4-1359-03 GaN-T-C-P-C50-SSP, 타입 : P타입(Mg-Doped) / 비저항 : ~ 10Ω·㎝ pk
CAS: -단위: pk
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4-1359-01 GaN-T-C-U-C50-SSP, 타입 : N타입(Un-Doped) / 비저항 : ＜0.5Ω·㎝ pk
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AS ONE GaN Substrate (2-Inch Template)

제품 개요

2인치 사파이어 웨이퍼 위에 성장된 GaN 템플레이트 기판으로, 정밀한 결정방위와 우수한 표면 품질을 제공합니다. 고주파 소자, LED, 전력 반도체 등 다양한 연구 및 개발용으로 사용됩니다.

제품 사양

항목 사양
사이즈 Φ2인치
GaN 두께 약 4 ~ 6 ㎛ (사파이어 웨이퍼의 표면측)
사파이어 웨이퍼 두께 430 ± 25 ㎛
결정방위 C-plane (0001) ± 0.5°
표면 (GaN) 폴리싱 마감
이면 (사파이어면) Fine Ground 마감
입수 1상자 (2매)

주요 특징

  • 고품질 C-plane GaN 결정 구조
  • 정밀한 두께 제어 및 우수한 표면 평탄도
  • 사파이어 기반으로 안정적인 기계적 강도 확보
  • 광전자 및 전력 반도체 연구용으로 적합

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