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1 / 2AS ONE GaN Substrate (2-Inch Temmlate), GaN 기판 (2 인치 템플레이트)
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2인치 사파이어 웨이퍼 위에 성장된 GaN 템플레이트 기판으로, 고품질 C-plane(0001) 결정방위를 갖습니다. 폴리싱 마감된 GaN 표면과 Fine Ground 처리된 이면을 제공하며, 고주파 및 광전자소자 연구용으로 적합합니다.
- 브랜드
- AS ONE
- 판매단위
- pk
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4-1359-01 GaN-T-C-U-C50-SSP, 타입 : N타입(Un-Doped) / 비저항 : ＜0.5Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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4-1359-02 GaN-T-C-N-C50-SSP, 타입 : N타입(Si-Doped) / 비저항 : ＜0.05Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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4-1359-03 GaN-T-C-P-C50-SSP, 타입 : P타입(Mg-Doped) / 비저항 : ~ 10Ω·㎝ pk판매 단위 pk ·
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AS ONE · AS ONE GaN Substrate (2-Inch Temmlate), GaN 기판 (2 인치 템플레이트)
AS ONE GaN Substrate (2-Inch Template)
제품 개요
2인치 사파이어 웨이퍼 위에 성장된 GaN 템플레이트 기판으로, 정밀한 결정방위와 우수한 표면 품질을 제공합니다. 고주파 소자, LED, 전력 반도체 등 다양한 연구 및 개발용으로 사용됩니다.
제품 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 사이즈 | Φ2인치 |
| GaN 두께 | 약 4 ~ 6 ㎛ (사파이어 웨이퍼의 표면측) |
| 사파이어 웨이퍼 두께 | 430 ± 25 ㎛ |
| 결정방위 | C-plane (0001) ± 0.5° |
| 표면 (GaN) | 폴리싱 마감 |
| 이면 (사파이어면) | Fine Ground 마감 |
| 입수 | 1상자 (2매) |
주요 특징
- 고품질 C-plane GaN 결정 구조
- 정밀한 두께 제어 및 우수한 표면 평탄도
- 사파이어 기반으로 안정적인 기계적 강도 확보
- 광전자 및 전력 반도체 연구용으로 적합
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