AS ONE GaN Substrate (2-Inch Temmlate), GaN 기판 (2 인치 템플레이트)
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| 카탈로그 번호 | CAS 번호 | 설명 | 상태 | 단위 | 판매가 | 할인가 | 가격(VAT포함) | 수량 / 장바구니 / 찜 |
| 4-1359-01 | - | 4-1359-01 GaN-T-C-U-C50-SSP, 타입 : N타입(Un-Doped) / 비저항 : ＜0.5Ω·㎝ pk | 재고문의 | pk | 0원 | - | 0원 | |
| 4-1359-02 | - | 4-1359-02 GaN-T-C-N-C50-SSP, 타입 : N타입(Si-Doped) / 비저항 : ＜0.05Ω·㎝ pk | 재고문의 | pk | 0원 | - | 0원 | |
| 4-1359-03 | - | 4-1359-03 GaN-T-C-P-C50-SSP, 타입 : P타입(Mg-Doped) / 비저항 : ~ 10Ω·㎝ pk | 재고문의 | pk | 0원 | - | 0원 | |
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[사양]
● 사이즈 : Φ2인치
● GaN 두께 : 약4 ~ 6㎛ (사파이어 웨이퍼의 표면측)
● 사파이어 웨이퍼 두께 : 430±25㎛
● 결정방위 : C_plane (0001)±0.5℃
● 표면(GaN) : 폴리싱 마감
● 이면(사파이어면) Fine Ground 마감
● 입수 : 1상자 (2매)
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