
AS ONE High-Purity Silicone Wafer forResearch, 연구용 고순도 실리콘웨이퍼
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[사양]
● 제조 방법:CZ법
● 면방위:100
● OF위치:110
● 저항값:0.1100Ω·㎝10/파티클 불문, 2-960-53~62/0.3㎛·10개 이하
※ 고저항형(2-960-08 , 2-960-62) :≧500Ω・cm
※ 저저항형(2-960-07 , 2-960-61)≦0.02Ω・cm
● 파티클:2-960-01
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