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1 / 2AS ONE SiC Substrate (6H-SiC), SiC 기판 (6H-SiC)
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고품질 6H-SiC 단결정 기판으로 우수한 열전도성과 내화학성을 제공. 반도체, 전력소자 및 센서 연구용으로 적합. 정밀한 10×10×0.33mm 규격으로 안정된 실험 재현성 확보.
- 카탈로그번호
- 4-1336-0x (3개 옵션)
- 브랜드
- AS ONE
- 카테고리
- Other Organics
- 판매단위
- pk
카탈로그
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장비
4-1336-03 6HSiC-0001-D-□10-10, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (10매) pk판매 단위 pk ·
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2,842,000원VAT 포함 3,126,200원
소모품
4-1336-02 6HSiC-0001-D-□10-5, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1상자 (5매) pk판매 단위 pk ·
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4-1336-01 6HSiC-0001-D-□10-1, 방위 : (0001) / 연마 : 양면 경면 / 입수 : 1매 pk판매 단위 pk ·
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316,000원VAT 포함 347,600원
AS ONE · AS ONE SiC Substrate (6H-SiC), SiC 기판 (6H-SiC)
AS ONE SiC Substrate (6H-SiC)
AS ONE의 고순도 6H-SiC 단결정 기판으로, 반도체 및 전력소자 연구에 적합한 고열전도성 소재입니다.
제품 사양
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 사이즈 | 10 × 10 × 0.33 mm |
| 재질 | 6H-SiC (Silicon Carbide) |
| 형태 | 단결정 기판 |
| 용도 | 반도체, 센서, 전력소자 연구용 |
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