
고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate
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고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate
📌 1. 차세대 전력 반도체 및 고출력 모듈의 핵심 소재 고열전도 질화규소(Si3N4) 기판
우수한 방열 특성과 압도적인 기계적 강도.
전문적인 반도체 공정 및 고신뢰성 파워 모듈 패키징을 위한 최적의 솔루션을 제공합니다.

📌 2. 핵심 특장점 (Key Features)
01. 우수한 방열 성능 (Thermal Conductivity ≥ 80 W/m·K)
본 제품은 80 W/(m·K) 이상의 높은 열전도율을 실현하여, 고출력 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출합니다. 전력 반도체(IGBT, SiC 등)의 신뢰성을 극대화합니다.
02. 압도적인 기계적 강도 및 내구성
- 굽힘 강도(Flexural Strength): 700 ~ 800 MPa
- 파괴 인성(Fracture Toughness): 6.0 ~ 7.0 MPa·m¹/²
일반적인 세라믹 기판 대비 파손 위험이 적고, 가혹한 환경에서도 형태를 유지하는 뛰어난 내구성을 자랑합니다.
03. 정밀한 표면 제어 (Surface Roughness ≤ 0.8 Ra)
Ra 0.8 이하의 정밀한 표면 조도를 유지하여, 이후 진행되는 박막 증착 및 회로 형성 공정에서 최상의 접착력과 패턴 정밀도를 보장합니다.
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📌 3. 주요 응용 분야 (Applications)
- 전력 반도체 모듈: IGBT, MOSFET 방열 기판
- 자동차 전자장치: 전기차(EV/HEV) 인버터 및 컨버터
- 고출력 LED: 고휘도 조명 시스템용 방열판
- 항공우주 및 방산: 고신뢰성이 요구되는 특수 회로 기판
📌 4. 제품 상세 사양 (Specifications)
| 항목 | 상세 사양 |
|---|---|
| 재질 (Material) | Silicon Nitride (Si3N4) |
| 열전도율 (Thermal Conductivity) | ≥ 80 W/(m·K) |
| 표면 조도 (Surface Roughness) | ≤ 0.8 Ra |
| 벌크 밀도 (Bulk Density) | 3.20 ± 0.05 g/cm³ |
| 굽힘 강도 (Flexural Strength) | 700 ~ 800 MPa |
| 비커스 경도 (Vickers Hardness) | ≥ 14.2 GPa |
| 열팽창 계수 (CTE) | 3.0 ~ 3.2 (10⁻⁶/℃) |
📌 5. 구매 옵션 (Ordering Information)
필요하신 사이즈와 수량(PK)에 맞춰 선택해 주세요.
| 사이즈 (Size) | 포장 단위 | 카탈로그 번호 (Cat No.) |
|---|---|---|
| 114 × 114 × 0.32 mm | 1개입 | SNS-114X114-T032 |
| 114 × 114 × 0.32 mm | 10개입 | SNS-114X114-T032-PK |
| 190 × 138 × 0.32 mm | 1개입 | SNS-190X138-T032 |
| 190 × 138 × 0.32 mm | 10개입 | SNS-190X138-T032-PK |
📌 6. 안내 사항
- 품질 관리: 본 제품은 엄격한 품질 검사를 거쳐 출고됩니다.
- 배송 정보: 정밀 소재 특성에 맞게 완충 포장되어 안전하게 배송됩니다.
- 기술 문의: 대량 구매 및 특수 사이즈 제작 문의는 고객센터로 연락 주시기 바랍니다.
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