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고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate
AI 생성AI가 생성·보정한 이미지예요. AI는 실수할 수 있으니 실제 제품과 다를 수 있어요.
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고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate

브랜드
ideabank
카테고리
Silicon Nitride Substrates
판매단위
10/pk, ea
#Silicons#Silicon Nitride Substrate

카탈로그

4개 옵션
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ideabank · 고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate

고열전도 Silicon Nitride (Si3N4) Substrate

📌 1. 차세대 전력 반도체 및 고출력 모듈의 핵심 소재 고열전도 질화규소(Si3N4) 기판

우수한 방열 특성과 압도적인 기계적 강도.

전문적인 반도체 공정 및 고신뢰성 파워 모듈 패키징을 위한 최적의 솔루션을 제공합니다.

SiN wafer (1).png

📌 2. 핵심 특장점 (Key Features)

01. 우수한 방열 성능 (Thermal Conductivity ≥ 80 W/m·K)

본 제품은 80 W/(m·K) 이상의 높은 열전도율을 실현하여, 고출력 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출합니다. 전력 반도체(IGBT, SiC 등)의 신뢰성을 극대화합니다.

02. 압도적인 기계적 강도 및 내구성

  • 굽힘 강도(Flexural Strength): 700 ~ 800 MPa
  • 파괴 인성(Fracture Toughness): 6.0 ~ 7.0 MPa·m¹/²
    일반적인 세라믹 기판 대비 파손 위험이 적고, 가혹한 환경에서도 형태를 유지하는 뛰어난 내구성을 자랑합니다.

03. 정밀한 표면 제어 (Surface Roughness ≤ 0.8 Ra)

Ra 0.8 이하의 정밀한 표면 조도를 유지하여, 이후 진행되는 박막 증착 및 회로 형성 공정에서 최상의 접착력과 패턴 정밀도를 보장합니다.

Silicon Nitride Thermal wafer (1).png

📌 3. 주요 응용 분야 (Applications)

  • 전력 반도체 모듈: IGBT, MOSFET 방열 기판
  • 자동차 전자장치: 전기차(EV/HEV) 인버터 및 컨버터
  • 고출력 LED: 고휘도 조명 시스템용 방열판
  • 항공우주 및 방산: 고신뢰성이 요구되는 특수 회로 기판

📌 4. 제품 상세 사양 (Specifications)

항목 상세 사양
재질 (Material) Silicon Nitride (Si3N4)
열전도율 (Thermal Conductivity) ≥ 80 W/(m·K)
표면 조도 (Surface Roughness) ≤ 0.8 Ra
벌크 밀도 (Bulk Density) 3.20 ± 0.05 g/cm³
굽힘 강도 (Flexural Strength) 700 ~ 800 MPa
비커스 경도 (Vickers Hardness) ≥ 14.2 GPa
열팽창 계수 (CTE) 3.0 ~ 3.2 (10⁻⁶/℃)

📌 5. 구매 옵션 (Ordering Information)

필요하신 사이즈와 수량(PK)에 맞춰 선택해 주세요.

사이즈 (Size) 포장 단위 카탈로그 번호 (Cat No.)
114 × 114 × 0.32 mm 1개입 SNS-114X114-T032
114 × 114 × 0.32 mm 10개입 SNS-114X114-T032-PK
190 × 138 × 0.32 mm 1개입 SNS-190X138-T032
190 × 138 × 0.32 mm 10개입 SNS-190X138-T032-PK

📌 6. 안내 사항

  • 품질 관리: 본 제품은 엄격한 품질 검사를 거쳐 출고됩니다.
  • 배송 정보: 정밀 소재 특성에 맞게 완충 포장되어 안전하게 배송됩니다.
  • 기술 문의: 대량 구매 및 특수 사이즈 제작 문의는 고객센터로 연락 주시기 바랍니다.

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